报告题目： 先进电子器件中的电磁及多物理效应与可靠性研究

报 告 人： 浙江大学  陈文超研究员

报告时间： 2021年4月20日

摘要：在“延续摩尔”与“超越摩尔”等技术路线背景下，高性能集成电路集成度越来越高，电磁、量子、热、应力等多物理效应引起的电子器件性能和可靠性问题日益严重，多物理兼容设计已成为先进集成技术的迫切需求。此次演讲内容针对新型场效应晶体管、新材料存储器与异质结二极管器件等关键元器件的电磁及多物理效应与可靠性问题，探讨先进电子器件中的多物理场建模仿真方法与应用、性能和可靠性建模等研究内容。

报告人简介：

陈博士针对先进集成电路中电磁及多物理效应与可靠性问题，开展了从器件到电路多层次、多尺度多物理场计算方法与应用研究。已发表40余篇SCI期刊论文，包括IEEE 论文（26篇），Nature Nanotechnology（2篇），Advanced Functional Materials，ACS Nano论文等，SCI他引1600余次；合著英文专著3章（Springer出版社2章，CRC出版社1章）；主持浙江省杰出青年项目、国家自然科学基金面上项目、青年项目等项目10项，参与国家自然科学基金重大科研仪器研制项目和华为电磁仿真系列项目等；曾获IEEE MTT-S IMWS 2016国际会议最佳论文奖、“国家优秀留学生奖学金”、“Journal of Applied Physics 优秀作者奖”、浙江大学奖教金、浙江大学国际校区优秀学术成果奖等奖项。